虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910661868.9

申请日：

2019-07-22

公开(公告)号：

CN112289680A

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

贾超超刘佑铭孙武韩宝东

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

史治法

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190722

共 50 条

[1]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[2]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[3]

形成具有金属栅极的半导体器件的方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102386135A ,2012-03-21

[4]

具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件 [P].

黄玉莲 ;

刘继文 ;

陈昭诚 ;

蔡明桓 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103943473B ,2014-07-23

[5]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

简珮珊 ;

巫凯雄 .

中国专利 :CN103681670A ,2014-03-26

[6]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

朱鸣 ;

林慧雯 ;

庄学理 ;

杨宝如 ;

黄渊圣 ;

陈嘉仁 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN103066073B ,2013-04-24

[7]

半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极 [P].

韦钧 ;

夏欢 ;

康佳 ;

闫冬 ;

汪逸航 ;

冯毅伟 ;

张杰 ;

费凡 .

中国专利 :CN118338664A ,2024-07-12

[8]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[9]

金属栅极的制造方法及半导体器件 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN110379710A ,2019-10-25

[10]

栅极制备方法及半导体器件 [P].

金奎东 .

中国专利 :CN119730348A ,2025-03-28

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