具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310165088.8

申请日：

2013-05-07

公开(公告)号：

CN103943473B

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

黄玉莲刘继文陈昭诚蔡明桓万幸仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584545349 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013101650888 申请日:20130507
2014-07-23	公开	公开
2016-11-02	授权	授权

共 50 条

[1]

形成具有金属栅极的半导体器件的方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102386135A ,2012-03-21

[2]

虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法 [P].

贾超超 ;

刘佑铭 ;

孙武 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN112289680A ,2021-01-29

[3]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[4]

制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法 [P].

罗伯特·J·P·兰德 ;

马克·范达尔 ;

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101263594A ,2008-09-10

[5]

具有金属栅极叠层的半导体器件的制作方法 [P].

陈枫 .

中国专利 :CN103117214A ,2013-05-22

[6]

具有理想栅极轮廓的半导体器件及其制造方法 [P].

金民 ;

金晟泰 .

中国专利 :CN1193420C ,2002-04-17

[7]

半导体器件中的栅极结构的轮廓 [P].

徐绍华 ;

林佳仪 ;

简垲旻 ;

胡元正 ;

彭裕钧 ;

刘国庆 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN119894048A ,2025-04-25

[8]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

[9]

金属栅极的形成方法以及半导体器件 [P].

韩秋华 ;

涂武涛 ;

徐柯 .

中国专利 :CN110729183B ,2020-01-24

[10]

半导体器件的金属栅极结构 [P].

简珮珊 ;

巫凯雄 .

中国专利 :CN103681670A ,2014-03-26

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