栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910199997.7

申请日：

2009-12-04

公开(公告)号：

CN102087966A

公开(公告)日：

2011-06-08

发明(设计)人：

何有丰胡亚兰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283 H01L21336 H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723311638 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101999977 申请公布日:20110608
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101089509527 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101999977 申请日:20091204
2012-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101483562559 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101999977 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121109
2011-06-08	公开	公开

共 50 条

[41]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

陈峰 ;

陈勇树 ;

李晓怡 .

中国专利 :CN117612944A ,2024-02-27

[42]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[43]

半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P].

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN117476549A ,2024-01-30

[44]

半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P].

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN117476549B ,2024-04-09

[45]

半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路 [P].

王棒 ;

蔡明洋 ;

周成 ;

林国强 ;

刘西域 .

中国专利 :CN119170572A ,2024-12-20

[46]

半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路 [P].

王棒 ;

蔡明洋 ;

周成 ;

林国强 ;

刘西域 .

中国专利 :CN119170572B ,2025-03-18

[47]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107293488A ,2017-10-24

[48]

半导体结构及其制造方法 [P].

韦丽珍 ;

管子豪 ;

张幼杰 ;

刘峰松 ;

王坚 .

中国专利 :CN119008661A ,2024-11-22

[49]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106952908A ,2017-07-14

[50]

制造半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

H-J·舒尔策 ;

M·聪德尔 ;

A·毛德 ;

A·梅瑟 ;

F·希尔勒 ;

H·韦伯 .

中国专利 :CN104701160A ,2015-06-10

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