半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411143395.0

申请日：

2024-08-20

公开(公告)号：

CN119008661A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

韦丽珍管子豪张幼杰刘峰松王坚

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

胡雪

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	公开	公开
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20240820

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

蔡永泰 ;

张恕铭 ;

张峻维 ;

陈键辉 ;

刘沧宇 ;

何彦仕 .

中国专利 :CN104037144A ,2014-09-10

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

张皓筌 ;

任楷 .

中国专利 :CN113097123B ,2024-05-03

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

D·特本 .

中国专利 :CN1288251A ,2001-03-21

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

吕函庭 ;

萧逸璇 .

中国专利 :CN102637576B ,2012-08-15

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483102A ,2022-12-16

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

赵梅 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 .

中国专利 :CN102201436A ,2011-09-28

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘梅花 .

中国专利 :CN111063722A ,2020-04-24

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

朱慧珑 ;

李佑炯 .

中国专利 :CN101075585A ,2007-11-21

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

胡燕萌 ;

岳丹诚 .

中国专利 :CN117594570A ,2024-02-23

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

龙涛 ;

L·S·赖利 ;

黄品豪 ;

黄保顺 ;

陈则瑞 .

美国专利 :CN119997559A ,2025-05-13

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