半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710102224.3

申请日：

2007-04-27

公开(公告)号：

CN101075585A

公开(公告)日：

2007-11-21

发明(设计)人：

程慷果朱慧珑李佑炯

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L2120 H01L21762 H01L2712

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

蔡永泰 ;

张恕铭 ;

张峻维 ;

陈键辉 ;

刘沧宇 ;

何彦仕 .

中国专利 :CN104037144A ,2014-09-10

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

张皓筌 ;

任楷 .

中国专利 :CN113097123B ,2024-05-03

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

方国龙 ;

杨智钧 ;

林汉涂 .

中国专利 :CN100452411C ,2007-08-22

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗霖 ;

李威养 ;

温明璋 ;

詹前泰 ;

叶致锴 ;

林大文 .

中国专利 :CN119108348A ,2024-12-10

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

王嘉亨 ;

吴以雯 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN110875380B ,2025-12-02

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

D·特本 .

中国专利 :CN1288251A ,2001-03-21

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

李冠儒 ;

赖二琨 .

中国专利 :CN104051338B ,2014-09-17

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN1956199B ,2007-05-02

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