半导体结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810212444.6
申请日
2008-08-26
公开(公告)号
CN101399275A
公开(公告)日
2009-04-01
发明(设计)人
程慷果 M·D·纳伊姆 D·M·多布金斯基 B·Y·金
申请人
申请人地址
美国纽约
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L2184 H01L21762
代理机构
北京市中咨律师事务所
代理人
于 静;杨晓光
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
D·奇丹巴尔拉奥 ;
W·K·汉森 ;
K·里姆 ;
W·C·威尔 .
中国专利 :CN100464425C ,2007-04-04
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
中国专利 :CN115346910A ,2022-11-15
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
朱慧珑 ;
托马斯·W·戴尔 .
中国专利 :CN101226941A ,2008-07-23
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
蒋懿 ;
肖德元 ;
邱云松 ;
邵光速 ;
苏星松 .
中国专利 :CN117690908A ,2024-03-12
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
林颂恩 ;
柯忠廷 ;
王敏吉 ;
黄泰钧 .
中国专利 :CN120676700A ,2025-09-19
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘梅花 .
中国专利 :CN111063722A ,2020-04-24
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
张哲诚 ;
程潼文 ;
谢瑞夫 ;
林木沧 .
中国专利 :CN105280635A ,2016-01-27
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
S·纳拉丝穆哈 ;
P·D·阿格内罗 ;
陈晓萌 ;
J·R·霍尔特 ;
M·V·卡里 ;
金炳烈 ;
D·K·萨达纳 .
中国专利 :CN101425518A ,2009-05-06
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
平尔萱 ;
周震 .
中国专利 :CN112928094B ,2025-01-10
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘梅花 .
中国专利 :CN111063722B ,2024-05-14