半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810004636.8

申请日：

2008-01-21

公开(公告)号：

CN101226941A

公开(公告)日：

2008-07-23

发明(设计)人：

朱慧珑托马斯·W·戴尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2711

IPC分类号：

H01L2712 H01L27092 H01L2978 H01L2938 H01L218244 H01L218238 H01L2184 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/11 申请日:20080121 授权公告日:20110223 终止日期:20200121
2011-02-23	授权	授权
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11 登记生效日:20171128 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约阿芒克变更后权利人:美国纽约
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11 登记生效日:20171128 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2008-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

程潼文 ;

谢瑞夫 ;

林木沧 .

中国专利 :CN105280635A ,2016-01-27

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102386226B ,2012-03-21

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

查尔斯·W.克伯格三世 ;

古川俊治 ;

戴维·V.·霍拉克 ;

马克·C.·哈克 ;

威廉·罗伯特·汤迪 ;

杰克·A·曼德曼 .

中国专利 :CN101060094A ,2007-10-24

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

苏庆忠 ;

卢玠甫 ;

吴健 ;

薛哲翔 ;

吴明锜 ;

温启元 ;

方俊杰 ;

叶玉隆 .

中国专利 :CN107039331A ,2017-08-11

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

D·奇丹巴尔拉奥 ;

W·K·汉森 ;

K·里姆 ;

W·C·威尔 .

中国专利 :CN100464425C ,2007-04-04

[6]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN115346910A ,2022-11-15

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