半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810731334.4

申请日：

2018-07-05

公开(公告)号：

CN109728093A

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

萧孟轩陈维宁李东颖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 B82Y4000 B82Y1000 B82Y3000

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蒋林清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180705
2019-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

托马斯·W·戴尔 .

中国专利 :CN101226941A ,2008-07-23

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘智民 ;

郭丰维 ;

张仪贤 ;

锺积贤 ;

王子睿 ;

王铨中 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN121194536A ,2025-12-23

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN116133398B ,2025-07-25

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

陆阳 ;

黄必亮 ;

任远程 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN104241137A ,2014-12-24

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

E·E·叶舒恩 ;

J·B·约翰逊 ;

R·A·费尔普斯 ;

R·M·拉塞尔 ;

M·L·齐拉克 .

中国专利 :CN101681934B ,2010-03-24

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

斯蒂芬·H.·沃尔德曼 ;

罗伯特·M.·拉塞尔 ;

布拉德利·A.·奥纳 ;

戴维·C.·谢里丹 .

中国专利 :CN101257039A ,2008-09-03

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN106409676A ,2017-02-15

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111508841A ,2020-08-07

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