半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880015898.2

申请日：

2008-06-25

公开(公告)号：

CN101681934B

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

E·E·叶舒恩 J·B·约翰逊 R·A·费尔普斯 R·M·拉塞尔 M·L·齐拉克

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2980

IPC分类号：

H01L21338 H01L29812

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

于静;杨晓光

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-06	授权	授权
2010-03-24	公开	公开
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001462370 IPC(主分类):H01L 29/80 专利申请号:2008800158982 申请日:20080625

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

庄其毅 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN111244159A ,2020-06-05

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

亚历克斯·卡尔尼茨基 ;

段孝勤 ;

黄士芬 ;

郑新立 ;

徐英杰 .

中国专利 :CN105047627A ,2015-11-11

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

庄其毅 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN120456591A ,2025-08-08

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

斯蒂芬·H.·沃尔德曼 ;

罗伯特·M.·拉塞尔 ;

布拉德利·A.·奥纳 ;

戴维·C.·谢里丹 .

中国专利 :CN101257039A ,2008-09-03

[6]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

吕相钦 ;

吴建志 ;

杨哲勋 ;

陈鸿文 .

中国专利 :CN107017301A ,2017-08-04

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

吴彬能 ;

肖卫平 ;

吴昊 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102593172B ,2012-07-18

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

H·L·霍 ;

J·A·曼德尔曼 ;

D·M·多布金斯基 ;

Y·奥塔尼 .

中国专利 :CN1976045A ,2007-06-06

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

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