半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510620805.4

申请日：

2019-11-28

公开(公告)号：

CN120456591A

公开(公告)日：

2025-08-08

发明(设计)人：

庄其毅蔡庆威程冠伦王志豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/17 H10D64/01 H10D64/27

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	公开	公开
2025-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20191128

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

庄其毅 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN111244159A ,2020-06-05

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

E·E·叶舒恩 ;

J·B·约翰逊 ;

R·A·费尔普斯 ;

R·M·拉塞尔 ;

M·L·齐拉克 .

中国专利 :CN101681934B ,2010-03-24

[3]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

吕相钦 ;

吴建志 ;

杨哲勋 ;

陈鸿文 .

中国专利 :CN107017301A ,2017-08-04

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

吴彬能 ;

肖卫平 ;

吴昊 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102593172B ,2012-07-18

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

H·L·霍 ;

J·A·曼德尔曼 ;

D·M·多布金斯基 ;

Y·奥塔尼 .

中国专利 :CN1976045A ,2007-06-06

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

王冬江 ;

刘格致 .

中国专利 :CN106935502A ,2017-07-07

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗翰 ;

刘志拯 .

中国专利 :CN115706073B ,2025-08-29

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