半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010191971.0

申请日：

2010-05-26

公开(公告)号：

CN102263132A

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

尹海洲骆志炯朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101169312146 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101919710 申请日:20100526
2014-04-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101699747591 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101919710 申请公布日:20111130
2011-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

邱冠璋 ;

李家庆 ;

陈建豪 ;

钟鸿钦 ;

李显铭 ;

徐志安 ;

童宣瑜 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN113410178A ,2021-09-17

[2]

一种半导体结构 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN202585421U ,2012-12-05

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

裴静伟 ;

陈邦旭 .

中国专利 :CN1949532A ,2007-04-18

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

B·B·多里斯 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·P·林德尔 ;

V·纳拉亚南 ;

Y-H·金 .

中国专利 :CN100485936C ,2007-07-04

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

陆阳 ;

黄必亮 ;

任远程 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN104241137A ,2014-12-24

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891178A ,2013-01-23

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

邵光速 ;

吴敏敏 .

中国专利 :CN114551450A ,2022-05-27

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

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