半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110141088.9

申请日：

2021-02-01

公开(公告)号：

CN113410178A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

邱冠璋李家庆陈建豪钟鸿钦李显铭徐志安童宣瑜吴仲强

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	公开	公开
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20210201

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

B·B·多里斯 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·P·林德尔 ;

V·纳拉亚南 ;

Y-H·金 .

中国专利 :CN100485936C ,2007-07-04

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

裴静伟 ;

陈邦旭 .

中国专利 :CN1949532A ,2007-04-18

[4]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

斯蒂文·J.·科斯特 ;

威尔弗雷德·E.-A.·哈恩斯奇 ;

阿姆兰·玛尤姆达 .

中国专利 :CN101252146B ,2008-08-27

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

托马斯·W·戴尔 .

中国专利 :CN101226941A ,2008-07-23

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘智民 ;

郭丰维 ;

张仪贤 ;

锺积贤 ;

王子睿 ;

王铨中 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN121194536A ,2025-12-23

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

巫柏奇 ;

林志翰 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106952910A ,2017-07-14

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