半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510108572.2

申请日：

2005-10-12

公开(公告)号：

CN1949532A

公开(公告)日：

2007-04-18

发明(设计)人：

裴静伟陈邦旭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军;郑特强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003336206 IPC(主分类):H01L 29/40 专利申请号:2005101085722 公开日:20070418
2007-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

廖端泉 ;

陈益坤 ;

朱晓忠 .

中国专利 :CN102956556A ,2013-03-06

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

邱冠璋 ;

李家庆 ;

陈建豪 ;

钟鸿钦 ;

李显铭 ;

徐志安 ;

童宣瑜 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN113410178A ,2021-09-17

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

麦西亚斯·派斯雷克 .

中国专利 :CN102024759A ,2011-04-20

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈鼎元 ;

余振华 .

中国专利 :CN101527280A ,2009-09-09

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

庄凌艺 .

中国专利 :CN115621193A ,2023-01-17

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

张世明 ;

文浚硕 ;

肖德元 ;

洪玟基 ;

金若兰 ;

李庚泽 .

中国专利 :CN114784006A ,2022-07-22

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

巫柏奇 ;

林志翰 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106952910A ,2017-07-14

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

爱德华·J.·诺瓦克 .

中国专利 :CN101030604A ,2007-09-05

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