半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610146589.1

申请日：

2006-11-15

公开(公告)号：

CN100485936C

公开(公告)日：

2007-07-04

发明(设计)人：

B·B·多里斯 V·K·帕鲁许里 B·P·林德尔 V·纳拉亚南 Y-H·金

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978 H01L2951 H01L218238 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;李峥

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/092 登记生效日:20171103 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20061115 授权公告日:20090506 终止日期:20191115
2007-07-04	公开	公开
2007-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-06	授权	授权
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/092 登记生效日:20171103 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

H·L·霍 ;

J·A·曼德尔曼 ;

D·M·多布金斯基 ;

Y·奥塔尼 .

中国专利 :CN1976045A ,2007-06-06

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

邱冠璋 ;

李家庆 ;

陈建豪 ;

钟鸿钦 ;

李显铭 ;

徐志安 ;

童宣瑜 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN113410178A ,2021-09-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

亚历山德罗·C·卡勒格瑞 ;

范西·K·帕鲁丘瑞 ;

维杰·纳拉亚南 ;

萨菲·扎发 ;

迈克尔·A·格瑞贝尔尤克 .

中国专利 :CN1988171A ,2007-06-27

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

马瑞吉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN111554734A ,2020-08-18

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

马瑞吉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110660811A ,2020-01-07

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

廖志成 ;

马洛宜·库马 ;

李家豪 ;

周仲德 ;

梁雅涵 .

中国专利 :CN110690116A ,2020-01-14

[9]

半导体结构以及制造半导体结构的方法 [P].

阎红雯 ;

理查德·S.·怀斯 ;

宋均镛 ;

张郢 ;

陈自强 ;

杨美基 ;

拉贾劳·加米 ;

穆科施·V.·卡里 .

中国专利 :CN101083267A ,2007-12-05

[10]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

← 1 2 3 4 5 →