半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410770314.X

申请日：

2014-12-15

公开(公告)号：

CN105280635A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

张哲诚程潼文谢瑞夫林木沧

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647679946 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:201410770314X 申请日:20141215
2018-07-20	授权	授权
2016-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

托马斯·W·戴尔 .

中国专利 :CN101226941A ,2008-07-23

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102386226B ,2012-03-21

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

查尔斯·W.克伯格三世 ;

古川俊治 ;

戴维·V.·霍拉克 ;

马克·C.·哈克 ;

威廉·罗伯特·汤迪 ;

杰克·A·曼德曼 .

中国专利 :CN101060094A ,2007-10-24

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

苏庆忠 ;

卢玠甫 ;

吴健 ;

薛哲翔 ;

吴明锜 ;

温启元 ;

方俊杰 ;

叶玉隆 .

中国专利 :CN107039331A ,2017-08-11

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN115346910A ,2022-11-15

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

蒋懿 ;

肖德元 ;

邱云松 ;

邵光速 ;

苏星松 .

中国专利 :CN117690908A ,2024-03-12

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

林颂恩 ;

柯忠廷 ;

王敏吉 ;

黄泰钧 .

中国专利 :CN120676700A ,2025-09-19

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘梅花 .

中国专利 :CN111063722A ,2020-04-24

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

平尔萱 ;

周震 .

中国专利 :CN112928094B ,2025-01-10

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