半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510619841.9

申请日：

2025-05-14

公开(公告)号：

CN120676700A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

林颂恩柯忠廷王敏吉黄泰钧

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	公开	公开
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250514

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

林大钧 ;

廖忠志 .

中国专利 :CN117497490A ,2024-02-02

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王寳明 ;

陈佳政 ;

陈建豪 ;

周孟翰 ;

张玮廷 ;

刘书豪 .

中国专利 :CN120813039A ,2025-10-17

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN115346910A ,2022-11-15

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

托马斯·W·戴尔 .

中国专利 :CN101226941A ,2008-07-23

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

蒋懿 ;

肖德元 ;

邱云松 ;

邵光速 ;

苏星松 .

中国专利 :CN117690908A ,2024-03-12

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘梅花 .

中国专利 :CN111063722A ,2020-04-24

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

程潼文 ;

谢瑞夫 ;

林木沧 .

中国专利 :CN105280635A ,2016-01-27

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

平尔萱 ;

周震 .

中国专利 :CN112928094B ,2025-01-10

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘梅花 .

中国专利 :CN111063722B ,2024-05-14

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