半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510810006.3

申请日：

2025-06-17

公开(公告)号：

CN120813039A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

王寳明陈佳政陈建豪周孟翰张玮廷刘书豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250617
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴忠育 ;

曾自立 ;

林俐齐 .

中国专利 :CN114999997A ,2022-09-02

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

雒曲 ;

谢文浩 .

中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘中元 .

中国专利 :CN118712196A ,2024-09-27

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

王文博 ;

卜伟海 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN103811322A ,2014-05-21

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

张中怀 ;

陈文豪 ;

陈健源 ;

周学良 .

中国专利 :CN119967862A ,2025-05-09

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

阮钢 ;

马亚强 ;

罗钦贤 ;

苏圣哲 .

中国专利 :CN119786339A ,2025-04-08

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

侯俊安 ;

吴小鹏 ;

胡洋 ;

张家云 ;

张楠 ;

徐坤 .

中国专利 :CN119421407B ,2025-10-14

← 1 2 3 4 5 →