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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311255509.6
申请日：
2023-09-27
公开(公告)号：
CN117497490A
公开(公告)日：
2024-02-02
发明(设计)人：
林大钧
廖忠志
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H01L27/088
B82Y10/00
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-02 | 公开 | 公开 |
| 2024-02-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20230927 |