半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210120451.X

申请日：

2012-04-23

公开(公告)号：

CN103377931A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

何卫朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L29423

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545325540 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201210120451X 申请日:20120423
2013-10-30	公开	公开
2016-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107346783B ,2017-11-14

[2]

一种半导体结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN104282541A ,2015-01-14

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN115346910A ,2022-11-15

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107591365A ,2018-01-16

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

戴维·梅代罗斯 ;

德文德拉·K·萨达纳 ;

凯瑟里娜·E·巴比克 ;

布鲁斯·B·桃瑞丝 .

中国专利 :CN1959934A ,2007-05-09

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

托马斯·W·戴尔 .

中国专利 :CN101226941A ,2008-07-23

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

蒋懿 ;

肖德元 ;

邱云松 ;

邵光速 ;

苏星松 .

中国专利 :CN117690908A ,2024-03-12

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

林颂恩 ;

柯忠廷 ;

王敏吉 ;

黄泰钧 .

中国专利 :CN120676700A ,2025-09-19

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘梅花 .

中国专利 :CN111063722A ,2020-04-24

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