半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610527732.5

申请日：

2016-07-06

公开(公告)号：

CN107591365A

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2910

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20180116
2018-01-16	公开	公开
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20160706

共 50 条

[1]

半导体结构的制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107481932A ,2017-12-15

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107346783B ,2017-11-14

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

张海洋 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN107978527A ,2018-05-01

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

金志勋 ;

高建峰 ;

白国斌 ;

刘卫兵 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN114388474A ,2022-04-22

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108074929B ,2018-05-25

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

何卫 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN103377931A ,2013-10-30

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

于海龙 ;

孟昭生 ;

常靖华 ;

赵朵朵 ;

贾超超 ;

董信国 .

中国专利 :CN120184091A ,2025-06-20

[8]

半导体结构的制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102386095B ,2012-03-21

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109285879A ,2019-01-29

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309845A ,2021-02-02

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