半导体结构及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202011118950.6

申请日：

2020-10-19

公开(公告)号：

CN114388474A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

金志勋高建峰白国斌刘卫兵李俊杰

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

孙峰芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20201019
2022-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

应程 ;

王成宏 ;

方万一 ;

王坤 .

中国专利 :CN119890048A ,2025-04-25

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘铭棋 ;

郭俊聪 .

中国专利 :CN115566018A ,2023-01-03

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107591365A ,2018-01-16

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107346783B ,2017-11-14

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

周孟翰 ;

萧宜瑄 ;

刘书豪 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115472571A ,2022-12-13

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

张海洋 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN107978527A ,2018-05-01

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

B·B·多里斯 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·P·林德尔 ;

V·纳拉亚南 ;

Y-H·金 .

中国专利 :CN100485936C ,2007-07-04

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈英儒 ;

陈宪伟 ;

陈明发 .

中国专利 :CN109390320A ,2019-02-26

← 1 2 3 4 5 →