半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610937953.X

申请日：

2016-10-25

公开(公告)号：

CN107978527A

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

张海洋刘盼盼

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L29423 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	授权	授权
2018-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20161025
2018-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

张海洋 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN108122757B ,2018-06-05

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107591365A ,2018-01-16

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107346783B ,2017-11-14

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

金志勋 ;

高建峰 ;

白国斌 ;

刘卫兵 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN114388474A ,2022-04-22

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

何卫 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN103377931A ,2013-10-30

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

于海龙 ;

孟昭生 ;

常靖华 ;

赵朵朵 ;

贾超超 ;

董信国 .

中国专利 :CN120184091A ,2025-06-20

[7]

半导体结构，半导体结构制备方法及其用途 [P].

吴公一 ;

徐朋辉 ;

陈龙阳 .

中国专利 :CN110943070A ,2020-03-31

[8]

半导体结构，半导体结构制备方法及其用途 [P].

吴公一 ;

徐朋辉 ;

陈龙阳 .

中国专利 :CN110943070B ,2025-08-08

[9]

一种半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

罗军 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102487014A ,2012-06-06

[10]

一种半导体结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

赵超 ;

杨达 ;

罗军 .

中国专利 :CN103632972A ,2014-03-12

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