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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510329191.4
申请日：
2025-03-19
公开(公告)号：
CN120184091A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
于海龙
孟昭生
常靖华
赵朵朵
贾超超
董信国
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L23/522
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
成亚婷
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250319 |