半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710089334.0

申请日：

2007-03-23

公开(公告)号：

CN101079380A

公开(公告)日：

2007-11-28

发明(设计)人：

刘耀诚杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥克恩·利姆

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L218238 H01L2978 H01L27092

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李春晖

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003395226 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2007100893340 公开日:20071128
2008-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘川 .

中国专利 :CN120957465A ,2025-11-14

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

A·C·卡勒伽里 ;

M·L·斯特恩 ;

V·纳拉亚南 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·B·多里斯 ;

M·P·胡齐克 .

中国专利 :CN1983599A ,2007-06-20

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

潘贞维 .

中国专利 :CN109119326B ,2019-01-01

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

黄国彬 ;

李思毅 ;

陈嘉仁 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN102117745A ,2011-07-06

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

庄凌艺 .

中国专利 :CN115621193A ,2023-01-17

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

钟汇才 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102064175A ,2011-05-18

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

蒋葳 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN103779212B ,2014-05-07

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

林鑫成 .

中国专利 :CN113078098A ,2021-07-06

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN112889153B ,2024-04-26

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈维邦 ;

郑志成 ;

张简旭珂 ;

郭廷晃 .

中国专利 :CN109585551B ,2022-03-01

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