半导体结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810316185.5
申请日
2018-04-10
公开(公告)号
CN109585551B
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
陈维邦 郑志成 张简旭珂 郭廷晃
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘耀诚 ;
杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 ;
克恩·利姆 .
中国专利 :CN101079380A ,2007-11-28
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN115621193A ,2023-01-17
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
尹海洲 ;
蒋葳 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN103779212B ,2014-05-07
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
林鑫成 .
中国专利 :CN113078098A ,2021-07-06
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
程凯 .
中国专利 :CN112889153B ,2024-04-26
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN114171495A ,2022-03-11
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
于海龙 ;
孟昭生 ;
常靖华 ;
赵朵朵 ;
贾超超 ;
董信国 .
中国专利 :CN120184091A ,2025-06-20
[8]
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蔡易廷 .
中国专利 :CN120936026A ,2025-11-11
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
程凯 .
中国专利 :CN112889153A ,2021-06-01
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
商凯博 .
中国专利 :CN119653772A ,2025-03-18