半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511083368.3

申请日：

2025-08-04

公开(公告)号：

CN120936026A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

蔡易廷

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20250804

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

江国诚 ;

蔡庆威 ;

王志豪 ;

梁英强 .

中国专利 :CN106549059A ,2017-03-29

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

余振华 ;

吴集锡 ;

叶德强 ;

陈宪伟 ;

苏安治 ;

杨天中 .

中国专利 :CN107039413A ,2017-08-11

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

周振成 ;

张简旭珂 ;

吴政达 .

中国专利 :CN106067422B ,2016-11-02

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

李准东 ;

D·J·谢皮斯 ;

J·W·斯莱特 ;

任志斌 .

中国专利 :CN101414611A ,2009-04-22

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

郭建利 ;

陈坤贤 .

中国专利 :CN110943060B ,2020-03-31

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

赖二琨 .

中国专利 :CN106920799A ,2017-07-04

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

郑锡圭 ;

韩至刚 ;

张兢夫 ;

黄信杰 .

中国专利 :CN107818962A ,2018-03-20

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

黄子勋 ;

简毅豪 .

中国专利 :CN118591172A ,2024-09-03

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

胡志玮 ;

叶腾豪 .

中国专利 :CN103887259B ,2014-06-25

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈建宏 ;

刘胜杰 ;

陈禾秉 ;

吴文朗 ;

崔成章 .

中国专利 :CN104835780B ,2015-08-12

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