半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910237544.9

申请日：

2009-11-11

公开(公告)号：

CN102064175A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

梁擎擎钟汇才尹海洲

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L23528 H01L2182 H01L21768 H01L21336

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

张磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-18	公开	公开
2013-05-22	授权	授权
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088108710 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2009102375449 申请日:20091111

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体晶片及其制造方法 [P].

郑心圃 ;

赵智杰 ;

卢思维 .

中国专利 :CN101075588A ,2007-11-21

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘耀诚 ;

杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 ;

克恩·利姆 .

中国专利 :CN101079380A ,2007-11-28

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

潘贞维 .

中国专利 :CN109119326B ,2019-01-01

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

黄国彬 ;

李思毅 ;

陈嘉仁 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN102117745A ,2011-07-06

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

张凯岚 ;

叶玉隆 ;

陈彦秀 ;

戴硕彦 ;

陈永祥 .

中国专利 :CN115490200A ,2022-12-20

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

徐叶龙 ;

孟怀宇 ;

沈亦晨 .

中国专利 :CN118732151A ,2024-10-01

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

戴维·梅代罗斯 ;

德文德拉·K·萨达纳 ;

凯瑟里娜·E·巴比克 ;

布鲁斯·B·桃瑞丝 .

中国专利 :CN1959934A ,2007-05-09

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102694007A ,2012-09-26

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

齐栋洋 ;

唐斯师 ;

李钊 .

中国专利 :CN119967896A ,2025-05-09

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘智民 ;

郭丰维 ;

张仪贤 ;

锺积贤 ;

王子睿 ;

王铨中 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN121194536A ,2025-12-23

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