半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710479670.X

申请日：

2017-06-22

公开(公告)号：

CN109119326B

公开(公告)日：

2019-01-01

发明(设计)人：

潘贞维

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-01	公开	公开
2019-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170622
2022-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘耀诚 ;

杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 ;

克恩·利姆 .

中国专利 :CN101079380A ,2007-11-28

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

黄国彬 ;

李思毅 ;

陈嘉仁 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN102117745A ,2011-07-06

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

钟汇才 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102064175A ,2011-05-18

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

周耀辉 ;

任小兵 ;

刘群 ;

金炎 ;

王德进 .

中国专利 :CN110838491B ,2020-02-25

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘川 .

中国专利 :CN120957465A ,2025-11-14

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120050986A ,2025-05-27

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

平尔萱 ;

周震 .

中国专利 :CN112928094B ,2025-01-10

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

骆志炯 ;

尹海洲 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103489779A ,2014-01-01

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

何乃龙 ;

盘成务 ;

张龙 ;

马杰 ;

李浩宇 ;

姚玉恒 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN120857620A ,2025-10-28

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

A·C·卡勒伽里 ;

M·L·斯特恩 ;

V·纳拉亚南 ;

V·K·帕鲁许里 ;

B·B·多里斯 ;

M·P·胡齐克 .

中国专利 :CN1983599A ,2007-06-20

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