半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110068078.3

申请日：

2011-03-22

公开(公告)号：

CN102694007A

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

骆志炯朱慧珑尹海洲

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3#

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21762 H01L218238

代理机构：

北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101371577316 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011100680783 申请日:20110322
2019-03-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20190306 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3# 变更后权利人:100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区文昌大道8号变更事项:共同专利权人变更前权利人:北京北方华创微电子装备有限公司
2012-09-26	公开	公开
2019-03-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:专利权人变更前:中国科学院微电子研究所变更后:中国科学院微电子研究所变更事项:地址变更前:100029 北京市朝阳区北土城西路3# 变更后:100029 北京市朝阳区北土城西路3# 变更事项:共同专利权人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司
2014-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘智民 ;

郭丰维 ;

张仪贤 ;

锺积贤 ;

王子睿 ;

王铨中 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN121194536A ,2025-12-23

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN102299133B ,2011-12-28

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

翁崇铭 ;

苏安治 ;

刘醇鸿 .

中国专利 :CN119601472A ,2025-03-11

[4]

半导体结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈韦廷 ;

蔡仲豪 ;

余振华 ;

王垂堂 .

中国专利 :CN110931451A ,2020-03-27

[5]

半导体结构制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102237295B ,2011-11-09

[6]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[7]

半导体结构、半导体晶片及其制造方法 [P].

郑心圃 ;

赵智杰 ;

卢思维 .

中国专利 :CN101075588A ,2007-11-21

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

萧孟轩 ;

陈维宁 ;

李东颖 .

中国专利 :CN109728093A ,2019-05-07

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

吕相钦 ;

吴建志 ;

杨哲勋 ;

陈鸿文 .

中国专利 :CN107017301A ,2017-08-04

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

吴彬能 ;

肖卫平 ;

吴昊 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102593172B ,2012-07-18

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