半导体结构及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210338580.X

申请日：

2022-04-01

公开(公告)号：

CN115472571A

公开(公告)日：

2022-12-13

发明(设计)人：

周孟翰萧宜瑄刘书豪张惠政杨育佳

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20220401
2022-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

应程 ;

王成宏 ;

方万一 ;

王坤 .

中国专利 :CN119890048A ,2025-04-25

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘铭棋 ;

郭俊聪 .

中国专利 :CN115566018A ,2023-01-03

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

金志勋 ;

高建峰 ;

白国斌 ;

刘卫兵 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN114388474A ,2022-04-22

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈英儒 ;

陈宪伟 ;

陈明发 .

中国专利 :CN109390320A ,2019-02-26

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

斯蒂芬·W·贝德尔 ;

金志焕 ;

亚历山大·雷兹尼塞克 ;

德温德拉·K·萨达纳 .

中国专利 :CN101944538B ,2011-01-12

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

肖亮 ;

黄清怡 ;

赵英程 .

中国专利 :CN118866810A ,2024-10-29

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

李书玮 ;

詹佑晨 ;

卢孟佩 ;

杨士亿 ;

李明翰 .

中国专利 :CN115472555A ,2022-12-13

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

杰伊·S·伯恩哈姆 ;

约翰·J·艾丽丝－莫娜格哈姆 ;

詹姆斯·S·纳考斯 ;

詹姆斯·J·奎恩利万 .

中国专利 :CN1302537C ,2005-07-27

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

林宏桦 ;

刘丙寅 ;

刘冠良 ;

蔡嘉雄 ;

亚历山大·卡利尼克斯 .

中国专利 :CN107445134B ,2017-12-08

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