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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510027641.4
申请日：
2025-01-08
公开(公告)号：
CN119890048A
公开(公告)日：
2025-04-25
发明(设计)人：
应程
王成宏
方万一
王坤
申请人：
湖北江城芯片中试服务有限公司
申请人地址：
430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号（自贸区武汉片区）
IPC主分类号：
H01L21/48
IPC分类号：
H01L23/538
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
胡亮;胡春光
法律状态：
公开
国省代码：
河北省
石家庄市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-05-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20250108 |