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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010220966.8
申请日：
2010-07-01
公开(公告)号：
CN101944538B
公开(公告)日：
2011-01-12
发明(设计)人：
斯蒂芬·W·贝德尔
金志焕
亚历山大·雷兹尼塞克
德温德拉·K·萨达纳
申请人：
申请人地址：
美国纽约阿芒克
IPC主分类号：
H01L2930
IPC分类号：
H01L2122
H01L213215
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
邱军
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2011-01-12 | 公开 | 公开 |
| 2017-12-15 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/30 登记生效日:20171127 变更事项:专利权人 变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司 变更后权利人:格芯公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国纽约 变更后权利人:开曼群岛大开曼岛 |
| 2013-04-24 | 授权 | 授权 |
| 2017-12-15 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/30 登记生效日:20171127 变更事项:专利权人 变更前权利人:国际商业机器公司 变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国纽约阿芒克 变更后权利人:美国纽约 |
| 2011-03-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056090264 IPC(主分类):H01L 29/30 专利申请号:2010102209668 申请日:20100701 |