半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510190639.5

申请日：

2015-04-21

公开(公告)号：

CN106158860B

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

陈皇魁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L29423 H01L2348 H01L21768 H01L2182 H01L218252 H01L218238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-15	授权	授权
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692511474 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2015101906395 申请日:20150421

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

斯蒂芬·W·贝德尔 ;

金志焕 ;

亚历山大·雷兹尼塞克 ;

德温德拉·K·萨达纳 .

中国专利 :CN101944538B ,2011-01-12

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

肖亮 ;

黄清怡 ;

赵英程 .

中国专利 :CN118866810A ,2024-10-29

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

B·J·格林尼 ;

A·J·洪 ;

金炳烈 ;

D·M·莫库塔 .

中国专利 :CN104576739B ,2015-04-29

[5]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

[6]

半导体结构及其制造方法、使用该半导体结构的器件 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN110189996A ,2019-08-30

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨启超 ;

劳伦斯·A·克莱文杰 ;

许履尘 ;

尼古拉斯·C·富勒 ;

蒂莫西·J·多尔顿 .

中国专利 :CN1925151A ,2007-03-07

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

方国龙 ;

杨智钧 ;

林汉涂 .

中国专利 :CN100452411C ,2007-08-22

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗霖 ;

李威养 ;

温明璋 ;

詹前泰 ;

叶致锴 ;

林大文 .

中国专利 :CN119108348A ,2024-12-10

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

应程 ;

王成宏 ;

方万一 ;

王坤 .

中国专利 :CN119890048A ,2025-04-25

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