半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710087372.2

申请日：

2007-03-14

公开(公告)号：

CN100452411C

公开(公告)日：

2007-08-22

发明(设计)人：

方国龙杨智钧林汉涂

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L23522 H01L2184 H01L21768

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥;徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-22	公开	公开
2009-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗霖 ;

李威养 ;

温明璋 ;

詹前泰 ;

叶致锴 ;

林大文 .

中国专利 :CN119108348A ,2024-12-10

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

王嘉亨 ;

吴以雯 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN110875380B ,2025-12-02

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

李冠儒 ;

赖二琨 .

中国专利 :CN104051338B ,2014-09-17

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN1956199B ,2007-05-02

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

卡尔·拉登斯 ;

理查德·Q·威廉斯 ;

古川俊治 ;

威廉·汤蒂 .

中国专利 :CN1897286A ,2007-01-17

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

许平 .

中国专利 :CN111106094B ,2020-05-05

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102983140B ,2013-03-20

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