半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610090871.2

申请日：

2006-06-26

公开(公告)号：

CN1925151A

公开(公告)日：

2007-03-07

发明(设计)人：

杨启超劳伦斯·A·克莱文杰许履尘尼古拉斯·C·富勒蒂莫西·J·多尔顿

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L23525

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/525 申请日:20060626 授权公告日:20090805 终止日期:20190626
2007-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/525 登记生效日:20171128 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/525 登记生效日:20171128 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约阿芒克变更后权利人:美国纽约
2009-08-05	授权	授权
2007-03-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

应程 ;

王成宏 ;

方万一 ;

王坤 .

中国专利 :CN119890048A ,2025-04-25

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘铭棋 ;

郭俊聪 .

中国专利 :CN115566018A ,2023-01-03

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

裴静伟 ;

陈邦旭 .

中国专利 :CN1949532A ,2007-04-18

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

蔡忠浩 ;

黄谚钧 ;

方婷 ;

姚佳贤 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN114520191A ,2022-05-20

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈旻政 ;

欧天凡 .

中国专利 :CN120674412A ,2025-09-19

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

周孟翰 ;

萧宜瑄 ;

刘书豪 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115472571A ,2022-12-13

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈皇魁 .

中国专利 :CN106158860B ,2016-11-23

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

巫柏奇 ;

林志翰 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106952910A ,2017-07-14

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