半导体结构及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210036327.9

申请日：

2022-01-13

公开(公告)号：

CN114520191A

公开(公告)日：

2022-05-20

发明(设计)人：

蔡忠浩黄谚钧方婷姚佳贤李振铭杨复凯王美匀

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-20	公开	公开
2022-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20220113

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨启超 ;

劳伦斯·A·克莱文杰 ;

许履尘 ;

尼古拉斯·C·富勒 ;

蒂莫西·J·多尔顿 .

中国专利 :CN1925151A ,2007-03-07

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

应程 ;

王成宏 ;

方万一 ;

王坤 .

中国专利 :CN119890048A ,2025-04-25

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘铭棋 ;

郭俊聪 .

中国专利 :CN115566018A ,2023-01-03

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

裴静伟 ;

陈邦旭 .

中国专利 :CN1949532A ,2007-04-18

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102263132A ,2011-11-30

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

周孟翰 ;

萧宜瑄 ;

刘书豪 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115472571A ,2022-12-13

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈皇魁 .

中国专利 :CN106158860B ,2016-11-23

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

巫柏奇 ;

林志翰 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106952910A ,2017-07-14

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

比什努·P·戈格伊 ;

迈克尔·A·蒂施勒 .

中国专利 :CN101926003A ,2010-12-22

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