半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410304368.0

申请日：

2024-03-18

公开(公告)号：

CN120674412A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

陈旻政欧天凡

申请人：

鸿海精密工业股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市土城区中山路66号

IPC主分类号：

H01L23/62

IPC分类号：

H01L23/525 H01L21/768

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/62申请日:20240318
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

杨启超 ;

劳伦斯·A·克莱文杰 ;

许履尘 ;

尼古拉斯·C·富勒 ;

蒂莫西·J·多尔顿 .

中国专利 :CN1925151A ,2007-03-07

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

邱雅琴 ;

林明贤 ;

许家栋 ;

邱仑捷 .

中国专利 :CN114823617A ,2022-07-29

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

涂文琼 ;

沈香谷 ;

黄镇球 ;

陈殿豪 ;

陈淑芳 .

中国专利 :CN118983296A ,2024-11-19

[4]

半导体结构的制造方法及其半导体结构 [P].

苏国辉 .

中国专利 :CN120825941A ,2025-10-21

[5]

半导体结构版图、半导体结构及其制造方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118676186A ,2024-09-20

[6]

半导体结构、半导体单元及其制造方法 [P].

黄田昊 ;

吴上义 ;

吴奕均 .

中国专利 :CN103855292A ,2014-06-11

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[8]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

[9]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

吴桐 .

中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10

[10]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

辛柏寰 ;

邱盈翰 .

中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03

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