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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810149240.2
申请日：
2008-09-17
公开(公告)号：
CN101425518A
公开(公告)日：
2009-05-06
发明(设计)人：
S·纳拉丝穆哈
P·D·阿格内罗
陈晓萌
J·R·霍尔特
M·V·卡里
金炳烈
D·K·萨达纳
申请人：
申请人地址：
美国纽约
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L2184
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：
屠长存
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-04 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20080917 授权公告日:20100630 终止日期:20190917 |
| 2009-05-06 | 公开 | 公开 |
| 2017-12-15 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/12 登记生效日:20171128 变更事项:专利权人 变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司 变更后权利人:格芯公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国纽约 变更后权利人:开曼群岛大开曼岛 |
| 2009-07-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2010-06-30 | 授权 | 授权 |
| 2017-12-15 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/12 登记生效日:20171128 变更事项:专利权人 变更前权利人:国际商业机器公司 变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国纽约 变更后权利人:美国纽约 |