半导体结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211039462.5
申请日
2022-08-29
公开(公告)号
CN117672857A
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
刘哲孝 林志威 邱柏豪 庄璧光 许静宜
申请人
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址
中国台湾新竹科学园区
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/78 H01L29/06
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
王涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
陈鼎元 ;
余振华 .
中国专利 :CN101527280A ,2009-09-09
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
刘祥伯 .
中国专利 :CN114078712A ,2022-02-22
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王冬江 ;
刘格致 .
中国专利 :CN106935502A ,2017-07-07
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
裴静伟 ;
陈邦旭 .
中国专利 :CN1949532A ,2007-04-18
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
桂祯涉 ;
金载盛 ;
金兑谦 ;
李建泳 .
中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
廖端泉 ;
陈益坤 ;
朱晓忠 .
中国专利 :CN102956556A ,2013-03-06
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
李承翰 ;
张世杰 ;
谢宛轩 ;
刘亦浚 ;
刘致为 .
中国专利 :CN115528087A ,2022-12-27
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
刘祥伯 .
中国专利 :CN114078712B ,2025-10-10
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
宋长庚 ;
曹恒 .
中国专利 :CN107464744B ,2017-12-12
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
奇达姆贝拉奥·杜里塞蒂 ;
拉登斯·卡尔 .
中国专利 :CN1976062A ,2007-06-06