半导体结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610388842.8
申请日
2016-06-02
公开(公告)号
CN107464744B
公开(公告)日
2017-12-12
发明(设计)人
宋长庚 曹恒
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21027
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
屈蘅;李时云
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘哲孝 ;
林志威 ;
邱柏豪 ;
庄璧光 ;
许静宜 .
中国专利 :CN117672857A ,2024-03-08
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
刘祥伯 .
中国专利 :CN114078712A ,2022-02-22
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王冬江 ;
刘格致 .
中国专利 :CN106935502A ,2017-07-07
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
刘祥伯 .
中国专利 :CN114078712B ,2025-10-10
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
汝伟亮 ;
刘纵曙 ;
邹海华 .
中国专利 :CN118824848A ,2024-10-22
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
罗杰 ;
袁可方 .
中国专利 :CN110931356A ,2020-03-27
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
欧阳自明 ;
王春杰 ;
李书铭 .
中国专利 :CN115084089B ,2025-10-03
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
周俊卿 ;
袁可方 ;
何其暘 .
中国专利 :CN108074861B ,2018-05-25
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王沛萌 ;
郗宁 .
中国专利 :CN119381340B ,2025-09-26
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王沛萌 ;
郗宁 .
中国专利 :CN119381340A ,2025-01-28