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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010836870.8
申请日：
2020-08-19
公开(公告)号：
CN114078712A
公开(公告)日：
2022-02-22
发明(设计)人：
任楷
刘祥伯
申请人：
申请人地址：
中国台湾台中市
IPC主分类号：
H01L2148
IPC分类号：
H01L21762
H01L21033
H01L23498
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
单晓双;董骁毅
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-22 | 公开 | 公开 |
| 2022-03-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20200819 |