半导体结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410949607.8
申请日
2024-07-15
公开(公告)号
CN118824848A
公开(公告)日
2024-10-22
发明(设计)人
汝伟亮 刘纵曙 邹海华
申请人
上海积塔半导体有限公司
申请人地址
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号
H01L21/28
IPC分类号
H01L29/417 H01L29/423 H01L21/027
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
陈小娜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
彭天智 ;
蒲久朋 ;
谭宇璐 ;
曾祥 .
中国专利 :CN120676661A ,2025-09-19
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
郑鸿柱 ;
张利东 .
中国专利 :CN114883336A ,2022-08-09
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
郑鸿柱 ;
张利东 .
中国专利 :CN114883336B ,2025-08-29
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘哲孝 ;
林志威 ;
邱柏豪 ;
庄璧光 ;
许静宜 .
中国专利 :CN117672857A ,2024-03-08
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
刘祥伯 .
中国专利 :CN114078712A ,2022-02-22
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王冬江 ;
刘格致 .
中国专利 :CN106935502A ,2017-07-07
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
任楷 ;
刘祥伯 .
中国专利 :CN114078712B ,2025-10-10
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
宋长庚 ;
曹恒 .
中国专利 :CN107464744B ,2017-12-12
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
罗杰 ;
袁可方 .
中国专利 :CN110931356A ,2020-03-27
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
欧阳自明 ;
王春杰 ;
李书铭 .
中国专利 :CN115084089B ,2025-10-03