半导体结构及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210881121.6

申请日：

2022-07-26

公开(公告)号：

CN115528087A

公开(公告)日：

2022-12-27

发明(设计)人：

沙哈吉·B·摩尔李承翰张世杰谢宛轩刘亦浚刘致为

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	公开	公开
2023-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220726

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘哲孝 ;

林志威 ;

邱柏豪 ;

庄璧光 ;

许静宜 .

中国专利 :CN117672857A ,2024-03-08

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗霖 ;

李威养 ;

温明璋 ;

詹前泰 ;

叶致锴 ;

林大文 .

中国专利 :CN119108348A ,2024-12-10

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

桂祯涉 ;

金载盛 ;

金兑谦 ;

李建泳 .

中国专利 :CN106504985B ,2017-03-15

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

奇达姆贝拉奥·杜里塞蒂 ;

拉登斯·卡尔 .

中国专利 :CN1976062A ,2007-06-06

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

林颂恩 ;

柯忠廷 ;

王敏吉 ;

黄泰钧 .

中国专利 :CN120676700A ,2025-09-19

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

谌俊元 ;

苏焕杰 ;

游力蓁 ;

张罗衡 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN115472669A ,2022-12-13

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

申云洪 .

中国专利 :CN120690785A ,2025-09-23

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

庄英政 .

中国专利 :CN120475714A ,2025-08-12

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

托马斯·N·亚当 ;

A·B·查克拉瓦尔蒂 ;

E·C·T·哈雷 ;

J·R·霍尔特 .

中国专利 :CN101483189B ,2009-07-15

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

丘世仰 .

中国专利 :CN112838066A ,2021-05-25

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