半导体结构及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210785513.2

申请日：

2022-07-04

公开(公告)号：

CN115472669A

公开(公告)日：

2022-12-13

发明(设计)人：

谌俊元苏焕杰游力蓁张罗衡庄正吉王志豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978 H01L218234

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220704
2022-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗霖 ;

李威养 ;

温明璋 ;

詹前泰 ;

叶致锴 ;

林大文 .

中国专利 :CN119108348A ,2024-12-10

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 ;

张世杰 ;

谢宛轩 ;

刘亦浚 ;

刘致为 .

中国专利 :CN115528087A ,2022-12-27

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

林颂恩 ;

柯忠廷 ;

王敏吉 ;

黄泰钧 .

中国专利 :CN120676700A ,2025-09-19

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

林大钧 ;

廖忠志 .

中国专利 :CN117497490A ,2024-02-02

[5]

半导体结构的制造方法及其半导体结构 [P].

苏国辉 .

中国专利 :CN120825941A ,2025-10-21

[6]

半导体结构版图、半导体结构及其制造方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118676186A ,2024-09-20

[7]

半导体结构、半导体单元及其制造方法 [P].

黄田昊 ;

吴上义 ;

吴奕均 .

中国专利 :CN103855292A ,2014-06-11

[8]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[9]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

[10]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

吴桐 .

中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10

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