半导体装置及其金属栅极的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410084052.8

申请日：

2004-10-19

公开(公告)号：

CN1674283A

公开(公告)日：

2005-09-28

发明(设计)人：

黄健朝陈光鑫杨富量

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市动力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2182 H01L2128

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	授权	授权
2005-09-28	公开	公开
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101667541A ,2010-03-10

[2]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

[3]

半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林毓超 ;

陈嘉仁 ;

林益安 ;

林志忠 .

中国专利 :CN101673686A ,2010-03-17

[4]

金属栅极的形成方法以及半导体器件 [P].

韩秋华 ;

涂武涛 ;

徐柯 .

中国专利 :CN110729183B ,2020-01-24

[5]

半导体装置及其栅极和金属线路的形成方法 [P].

柳男圭 ;

金豪龙 ;

崔源尊 ;

金在焕 ;

姜升贤 ;

尹英熙 .

中国专利 :CN101312127B ,2008-11-26

[6]

半导体器件及其栅极结构的形成方法 [P].

徐秋霞 ;

陈凯 .

中国专利 :CN112786438A ,2021-05-11

[7]

半导体装置及其形成方法 [P].

林士尧 ;

高魁佑 ;

陈振平 ;

林志翰 ;

张铭庆 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN113113297B ,2025-02-07

[8]

半导体装置及其形成方法 [P].

林群能 ;

连建洲 ;

叶明熙 .

中国专利 :CN113540034A ,2021-10-22

[9]

半导体装置及其形成方法 [P].

林群能 ;

连建洲 ;

叶明熙 .

中国专利 :CN113540034B ,2025-06-20

[10]

半导体装置及其形成方法 [P].

林士尧 ;

高魁佑 ;

陈振平 ;

林志翰 ;

张铭庆 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN113113297A ,2021-07-13

← 1 2 3 4 5 →