具有共用栅极堆叠的双通道CMOS

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880032181.2

申请日：

2018-05-11

公开(公告)号：

CN110692119A

公开(公告)日：

2020-01-14

发明(设计)人：

李忠贤安藤崇志 V·纳拉亚南 H·贾甘纳特涵

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

边海梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-14	公开	公开
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180511
2020-07-10	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20200622 变更事项:申请人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:厄尔庇斯技术公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:加拿大渥太华

共 50 条

[1]

用于CMOS缩放的金属栅极堆叠 [P].

郑鹏园 ;

永军·杰夫·胡 .

美国专利 :CN117500273A ,2024-02-02

[2]

用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺 [P].

H·新见 ;

S-C·宋 .

中国专利 :CN103824811A ,2014-05-28

[3]

用于CMOS图像传感器像素的方形栅极源极跟随器 [P].

高云飞 ;

吴泰锡 ;

萧锦文 .

中国专利 :CN114725139A ,2022-07-08

[4]

一种具有复合应变沟道的CMOS器件 [P].

王向展 ;

杜江峰 ;

杨洪东 ;

李竞春 ;

于奇 ;

全冯溪 .

中国专利 :CN101859772A ,2010-10-13

[5]

通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法 [P].

海宁·S·杨 .

中国专利 :CN101390209A ,2009-03-18

[6]

具有应力沟道区域的改善的CMOS器件及其制造方法 [P].

陈向东 ;

T·迪勒 ;

K·塞特尔迈尔 ;

杨海宁 .

中国专利 :CN101410968B ,2009-04-15

[7]

具有面外MEMS感应间隙的CMOS-MEMS结构 [P].

马修·朱利安·汤普逊 .

中国专利 :CN109153560A ,2019-01-04

[8]

具有改进的相位检测像素的BSI CMOS图像传感器 [P].

刘家颖 ;

彭进宝 ;

熊志伟 ;

威尼斯·文森特 .

中国专利 :CN106653786A ,2017-05-10

[9]

具有双金属栅极的互补金属氧化物半导体元件的制作方法 [P].

林建廷 ;

程立伟 ;

许哲华 ;

马光华 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN101494199A ,2009-07-29

[10]

包括低热预算栅极堆叠体的pMOS晶体管 [P].

J·弗兰蔻 ;

有村拓晃 ;

B·卡塞 .

:CN111261715B ,2025-01-10

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