一种具有复合应变沟道的CMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010197847.5

申请日：

2010-06-10

公开(公告)号：

CN101859772A

公开(公告)日：

2010-10-13

发明(设计)人：

王向展杜江峰杨洪东李竞春于奇全冯溪

申请人：

申请人地址：

610054 四川省成都市建设北路二段4号电子科技大学

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978 H01L2902

代理机构：

成都科海专利事务有限责任公司 51202

代理人：

盛明洁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101461343415 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2010101978475 申请公布日:20101013
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101018888916 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2010101978475 申请日:20100610
2010-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

具有应力沟道区域的改善的CMOS器件及其制造方法 [P].

陈向东 ;

T·迪勒 ;

K·塞特尔迈尔 ;

杨海宁 .

中国专利 :CN101410968B ,2009-04-15

[2]

用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法 [P].

于奇 ;

宁宁 ;

王向展 ;

杜江峰 ;

杨洪东 ;

李竞春 .

中国专利 :CN101969047A ,2011-02-09

[3]

一种应力放大的CMOS晶体管结构 [P].

王向展 ;

于奇 ;

杨洪东 ;

李竞春 ;

应贤炜 .

中国专利 :CN102064177A ,2011-05-18

[4]

用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道 [P].

P·马吉 ;

N·慕克吉 ;

R·皮拉里塞 ;

W·拉赫马迪 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN106062953B ,2016-10-26

[5]

一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法 [P].

赵梅 ;

梁仁荣 ;

郭磊 ;

王敬 ;

许军 .

中国专利 :CN101859771B ,2010-10-13

[6]

通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法 [P].

海宁·S·杨 .

中国专利 :CN101390209A ,2009-03-18

[7]

一种增强硅基成像器件CCD或者CMOS器件红外响应的方法 [P].

金蔚 ;

余聪聪 .

中国专利 :CN103794563A ,2014-05-14

[8]

一种应力增强的CMOS晶体管结构 [P].

于奇 ;

宁宁 ;

应贤炜 ;

周炜捷 ;

蒋宾 ;

王勇 .

中国专利 :CN101924107A ,2010-12-22

[9]

一种具有槽形结构的应变NLDMOS器件 [P].

罗谦 ;

檀长桂 ;

孟思远 ;

王向展 ;

于奇 .

中国专利 :CN106952960A ,2017-07-14

[10]

应变NMOS器件以及应变CMOS器件的制造方法 [P].

吴汉明 ;

王国华 .

中国专利 :CN101593701B ,2009-12-02

← 1 2 3 4 5 →