一种应力增强的CMOS晶体管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010227112.2

申请日：

2010-07-15

公开(公告)号：

CN101924107A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

于奇宁宁应贤炜周炜捷蒋宾王勇

申请人：

申请人地址：

610054 四川省成都市建设北路二段四号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2906 H01L218238

代理机构：

成都科海专利事务有限责任公司 51202

代理人：

盛明洁

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101744771517 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL2010102271122 申请日:20100715 授权公告日:20120926 终止日期:20160715
2012-09-26	授权	授权
2010-12-22	公开	公开
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035897412 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2010102271122 申请日:20100715

共 50 条

[1]

一种应力放大的CMOS晶体管结构 [P].

王向展 ;

于奇 ;

杨洪东 ;

李竞春 ;

应贤炜 .

中国专利 :CN102064177A ,2011-05-18

[2]

通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法 [P].

海宁·S·杨 .

中国专利 :CN101390209A ,2009-03-18

[3]

晶体管结构和用以形成反相器的晶体管 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN113629147A ,2021-11-09

[4]

单个基板上的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管和隧道场效应晶体管(TFET) [P].

B·杨 ;

X·李 ;

J·袁 .

中国专利 :CN107431068A ,2017-12-01

[5]

CMOS晶体管应力记忆处理方法和CMOS晶体管 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102097381B ,2011-06-15

[6]

制造CMOS场效应晶体管的方法和设备 [P].

小西里尔·卡布拉尔 ;

杨美基 ;

贾库布·科德泽尔斯克 .

中国专利 :CN100419999C ,2006-10-25

[7]

具有阈值电压不同的晶体管的CMOS电路及其制造方法 [P].

王维一 ;

洪俊九 .

中国专利 :CN107818946A ,2018-03-20

[8]

制造晶体管结构的方法 [P].

张永富 ;

K·K·德茨富利安 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN101075562A ,2007-11-21

[9]

具有垂直定向的N型晶体管的CMOS电路及其提供方法 [P].

A·A·夏尔马 ;

V·H·勒 ;

G·杜威 ;

W·拉赫马迪 ;

R·皮拉里塞泰 .

中国专利 :CN110323222A ,2019-10-11

[10]

晶体管结构 [P].

叶佳俊 ;

王裕霖 ;

蔡耀州 ;

黄松辉 .

中国专利 :CN102447062A ,2012-05-09

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