制造CMOS场效应晶体管的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480024692.8

申请日：

2004-09-08

公开(公告)号：

CN100419999C

公开(公告)日：

2006-10-25

发明(设计)人：

小西里尔·卡布拉尔杨美基贾库布·科德泽尔斯克

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张浩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-10-25	公开	公开
2011-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101137116893 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利号:ZL2004800246928 申请日:20040908 授权公告日:20080917 终止日期:20100908
2008-09-17	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置 [P].

上田未纪 ;

岩崎达哉 ;

板垣奈穗 ;

高亚阿米达 .

中国专利 :CN101752428A ,2010-06-23

[2]

场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法 [P].

松本真二 ;

植田尚之 ;

中村有希 ;

高田美树子 ;

曾根雄司 ;

早乙女辽一 ;

新江定宪 ;

安部由希子 .

中国专利 :CN109216443B ,2019-01-15

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[4]

场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法 [P].

松本真二 ;

植田尚之 ;

中村有希 ;

高田美树子 ;

曾根雄司 ;

早乙女辽一 ;

新江定宪 ;

安部由希子 .

中国专利 :CN105431930A ,2016-03-23

[5]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[6]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

[7]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13

[8]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16

[9]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[10]

场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法 [P].

亚尔马·E·A·胡伊特马 ;

巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼 .

中国专利 :CN1791990B ,2006-06-21

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