用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010251286.2

申请日：

2010-08-12

公开(公告)号：

CN101969047A

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

于奇宁宁王向展杜江峰杨洪东李竞春

申请人：

申请人地址：

610054 四川省成都市建设北路二段四号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

成都科海专利事务有限责任公司 51202

代理人：

盛明洁

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101628409906 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利号:ZL2010102512862 申请日:20100812 授权公告日:20140212 终止日期:20140812
2011-02-09	公开	公开
2014-02-12	授权	授权
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059702138 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010102512862 申请日:20100812

共 50 条

[1]

用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道 [P].

P·马吉 ;

N·慕克吉 ;

R·皮拉里塞 ;

W·拉赫马迪 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN106062953B ,2016-10-26

[2]

一种具有复合应变沟道的CMOS器件 [P].

王向展 ;

杜江峰 ;

杨洪东 ;

李竞春 ;

于奇 ;

全冯溪 .

中国专利 :CN101859772A ,2010-10-13

[3]

通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法 [P].

海宁·S·杨 .

中国专利 :CN101390209A ,2009-03-18

[4]

应变锗薄膜的制备方法 [P].

刘佳磊 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 ;

刘志弘 .

中国专利 :CN101246819B ,2008-08-20

[5]

用于沟道应变的锗分布 [P].

宋学昌 ;

郭紫微 ;

李昆穆 ;

李资良 ;

李启弘 .

中国专利 :CN104733513B ,2015-06-24

[6]

具有应力沟道区域的改善的CMOS器件及其制造方法 [P].

陈向东 ;

T·迪勒 ;

K·塞特尔迈尔 ;

杨海宁 .

中国专利 :CN101410968B ,2009-04-15

[7]

具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法 [P].

奥马尔·多库马西 ;

陈华杰 ;

杜雷塞蒂·齐达姆巴拉奥 ;

S·杨海宁 .

中国专利 :CN1985375A ,2007-06-20

[8]

用于绝缘体上应变硅晶片上双重隔离的方法和装置 [P].

B.B.多里斯 ;

何虹 ;

A.卡基菲鲁兹 ;

王俊利 .

中国专利 :CN105870061B ,2016-08-17

[9]

用于GAA CMOS技术的集成应变SiGe沟道PMOS [P].

杨世海 ;

乔迪·A·弗龙海尔 ;

本杰明·科伦坡 ;

B·普拉纳瑟提哈兰 ;

埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ;

阿希什·派欧 .

美国专利 :CN119404611A ,2025-02-07

[10]

应变沟道的场效应晶体管 [P].

马克·范·达尔 ;

戈本·多恩伯斯 ;

乔治斯·威廉提斯 ;

李宗霖 ;

袁锋 .

中国专利 :CN108281422B ,2018-07-13

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